2023年11月28日发(作者:7座电动汽车价格大全)
磁敏传感器/元件及其工业应用
徐开先,李洪儒
沈阳仪表科学研究院
1磁敏元件概述
随着科学技术水平的不断提高,磁敏元件在信息产业、工业自动化、能源电力、交通
运输、电力电子技术、家用电器、医疗设备等行业得到了快速普及和发展,特别是在测量和
控制领域已经越来越成为不可或缺的产品。
1.1定义
磁敏元件是对磁信号或者是对能够转变为磁信号的那些信号参数敏感的元件,具有把磁
学物理量转换为电信号的功能。
1.2磁敏元件分类
目前所能制造的磁敏元件从材料、结构、原理等角度综合考虑,大致可分为以下类别:
霍尔元件:Ge、Si、InAs、GaAs、InSb
体型元件
分立元件
(含薄膜元件)
磁阻元件:InSb、InSb/NiSb
半导体磁
磁敏二极管:Ge、Si
敏元器件
磁敏三极管:Si
结型元件
磁控可控硅:Si
Z效应频率输出磁敏器件:Si
磁
敏
开关型集成霍尔器件
硅集成霍尔元器件
元
线性集成霍尔器件
件
电磁感应线圈
金属及其合金
超导量子干涉器件
磁敏元器件
强磁体磁阻元件
威根德器件
通过磁敏元件制成的传感器可以检测很多物理量,例如:速度、角速度、线性位置、线
性角度、位移、振动、力、压力、转速、加速度、流量、电流、电压、电功率等。它不仅可
实现非接触测量,而且不从磁场中获取能量。
磁敏元件的优点是结构简单,体积小,易于集成化,耐冲击,频响宽(从直流到微波),
动态范围大,而且可以实现无接触检测,不存在磨损,抗污染,不产生火花,使用安全,寿
命长,在测量技术、自动控制和信息处理等方面有着广泛的应用。
1.3磁敏元件的国内现状及发展趋势
国内的磁敏元件经过三十余年的发展,从目前的研究与开发情况看,除巨磁阻器件还存
有差距以外,常用的其它磁敏器件如霍尔元件,霍尔集成开关、磁阻元件等在技术水平上已
经基本与国外同类产品相当。国内的磁敏元件主要生产厂商有中科院半导体所,沈阳仪表科
学研究院,南京中旭微电子公司等单位。但限于生产规模和成本,市场上大量销售和使用的
依然是国外进口产品,主要生产厂家有日本索尼、东芝、旭化成、美国霍尼韦尔、Allegro、
荷兰菲利普等。国内的产品与国外的产品相比差距主要体现在:
a.生产规模小,成本高。
b.部分元件的稳定性、可靠性差。
c.实际应用且具有一定规模的领域少。
d.科研成果转化慢,生产条件配套性差,缺少资金投入。
2 几种典型的磁敏元件
2.1霍尔元件
霍尔元件是根据霍尔效应原理制造的一种磁测量器件。霍尔元件在制作工艺上可以分
为单晶型和薄膜型两种。在霍尔元件的制造材料上分,主要有InSb元件、GaAs元件和Si
霍尔元件。InSb霍尔元件目前能占到霍尔元件全部市场份额的70%~80%,其他材料的霍尔
元件只占市场的很少部分。霍尔元件是半导体磁敏传感器中最成熟和用量最大的产品。
1
几种常用霍尔元件的性能对比:
序号 技术性能
1
2
3
4
灵敏度 较低 高 最低
温度系数 较小 大 较小
不等位电势 较小 大 较小
线性度 较好 较差 较好
主要应用 主要用于线性测量 转速或位置测量 主要制造集成元件
霍尔元件类别
GaAs元件 InSb元件 Si元件
a.工作原理
霍尔元件是利用霍尔效应制成的磁敏元件。若在图1所示的金属或半导体薄片两端通
以电流I,并在薄片的垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场,那么,在垂直于电流和磁场
的方向上将产生电势U(称为霍尔电动势或霍尔电压)。这种现象称为霍尔效应。
H
霍尔效应的产生是由于运动电荷受到磁场中洛
伦兹力作用的结果。霍尔电势U可用下式表示:
H
U=RIB/d (V)
HH
式中 R——霍尔常数(mC
H
3-1
)
I——控制电流(A)
B——磁感应强度(T)
d——霍尔元件的厚度(m)
令 K=R/d(VAWbm
HH
-1-12
)
则得到
U=KIB
HH
由上式可知,霍尔电势的大小正比于控制电流I和磁感应强度B。K称为霍尔元件的
H
灵敏度,它与元件材料的性质与几何尺寸有关。为求得较大的灵敏度,一般采用R大的N
H
型半导体材料做霍尔元件,并且用溅射薄膜工艺使元件厚度d做得很小。
b.霍尔元件的主要参数
? 输入电阻R
INout
和输出电阻R
霍尔元件控制电流极间的电阻为R,霍尔电势极间的电阻为R。输入电阻与输出电
INout
阻一般为几欧姆到几百欧姆。通常输入电阻的阻值大于输出电阻,但相差不太多。
? 额定控制电流Ic
额定控制电流Ic为使霍尔元件在空气中产生10℃温升的控制电流。Ic大小与霍尔芯
片的尺寸有关,尺寸越小,Ic越小。一般为几mA到几十mA。
? 不等位电势Uo和不等位电阻Ro
霍尔元件在额定控制电流作用下,不加外磁场时,其霍尔电势电极间的电势为不等位
电势。它主要与两个电极不在同一个等位面上及其材料电阻率不均等因素有关。可以用输出
的电压表示,或用空载霍尔电压U的百分数表示,一般Uo不大于10mV或±20%U。
HH
不等位电势与额定控制电流之比称为不等位电阻。Uo 及Ro越小越好。
? 灵敏度K
H
灵敏度是在单位磁感应强度下,通以单位控制电流所产生的霍尔电势。
? 霍尔电势温度系数α
α为温度每变化1℃霍尔电势傍晚的百分率。这一参数对测量仪器十分重要。若仪器要
求精度高时,要选择α值小的元件,必要时还要加温度补偿电路。
? 电阻温度系数β
β为温度每变化1℃霍尔元件材料的电阻变化率(用百分比表示)。
2.2霍尔集成元件
霍尔集成元件是利用硅集成电路工艺把霍尔元件和测量线路集成在同一硅片上制成的
磁敏器件。霍尔集成元件取消了单一器件和测量电路之间的界限,实现了材料、元件、电路
三位一体。霍尔集成元件与分立元件相比,由于减少了焊点,因此显著地提高了可靠性。按
2
照输出信号的形式,霍尔集成元件又分成线性型霍尔元件及开关型霍尔元件两种类型。
霍尔开关集成元件是以开关信号形式输出,其电路结构主要由稳压电路、霍尔元件、差
分放大器、整形电路和输出电路几部分组成。霍尔开关集成元件具有使用寿命长、无触点磨
损,无火花干扰,无转换抖动,工作频率高(从直流到100千赫左右),温度性能好,能适
应恶劣环境等优点。它可作为无触点开关,如键盘开关,接近开关,行程开关,限位开关等,
可检测带有磁钢或导磁体的物体直线运动或旋转运动时的位置和速度,因而能检测产品数
量、液面、旋转体的角位移、角速度、转速计量、里程计量等,也可用于磁头编码。线性霍
尔集成元件则可以测量位移,制成力传感器,利用感应强度制成磁场强度计等。
2.3磁阻元件
与霍尔元件不同,磁敏电阻是利用半导体物理磁阻效应和几何磁阻效应制成的半导体磁
敏元件。磁阻元件像其他电阻器一样是一种纯电阻性的二端元件,特殊的也有三端和四端元
件,还有磁阻集成电路,它的电阻值随磁场的变化而变化。磁阻元件有以下几种:
a.强磁体薄膜磁阻器件
强磁体金属薄膜磁阻器件是根据强磁体材料的磁致伸缩效应原理制作的。是利用真空镀
膜或溅射技术将强磁体材料Ni-Co合金蒸镀在氧化铝、玻璃或二氧化硅等绝缘基片上,再利
用光刻腐蚀技术,刻蚀出电阻图形。在与薄膜表面平行的磁场作用下,磁阻的电阻率会有
2%~5%的变化率。强磁体磁阻元件对磁场强度敏感,方向性强,温度系数小,线性度好,
易于补偿,频率响应高,可到10MHz,抗冲击震动,环境适应能力强。主要应用于:磁尺
等线性长距离位移测量;转动角度测量以及流量检测和转速/转数测量等,如用于电子水表、
煤气表和流量计的发讯传感器制作。
b.半导体磁阻器件
目前应用最多的就是InSb磁阻器件,包括单晶的InSb磁阻和薄膜型InSb磁阻。由于
半导体InSb材料温度系数较大,采用差分型结构的两个磁阻组成分压电路时,其中一个磁
敏电阻可起到一定的温度补偿作用。其主要应用于:微弱磁场检测,主要是用于票证检伪等;
磁敏无接触角度传感器。
c.巨磁阻(GMR)
巨磁阻是根据“巨磁电阻”(Giant Magnet Resistance,GMR)效应制成的磁敏器件。
所谓“巨磁电阻”效应,是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在
巨大变化的现象。巨磁阻效应自从被发现以来就被用于开发研制用于硬盘的体积小而灵敏的
数据读出头(Read Head),这使得存储单字节数据所需的磁性材料尺寸大为减少,从而使得
磁盘的存储能力得到大幅度的提高。如今,笔记本电脑、音乐播放器等各类数码电子产品中
所装备的硬盘,基本上都应用了巨磁阻器件。巨磁阻效应同样可应用于测量位移、角度等传
感器中,可广泛地应用于数控机床、汽车导航、非接触开关和旋转编码器中,具有功耗小、
灵敏度高、可靠性好、测量范围宽、体积小,价格低、能工作于恶劣的工作环境等优点。
3 磁敏元件的选用原则
磁敏元件的种类很多,性能也不尽相同,不同的应用场合和环境应选用不同种类的磁敏
元件。其基本的选用原则是:
a.根据被测信号的形式是线性、脉冲、交变、位移和函数等的不同,选择性能与之类似
的磁敏元件;
b.对应用环境和技术性能进行分析,在可选择的几种磁敏元件中,进行第二次挑选,从
技术条件和性能方面分析,确定哪一种更适合应用场合;
c.在满足技术要求的情况下,尽量选择成本低、市场供应量大的产品。这样更有利于生
产和应用。
4 磁敏元件的典型应用
磁敏元件在工业、汽车等领域有着广泛的应用,主要有以下几方面:
4.1磁场测量
主要是对永久磁场的测量,磁性材料的生产厂和磁性材料的使用者都有较多的应用。比
如:矿山用的磁选机,经常需要对磁铁的表面磁场进行检测,以使磁选机工作在有效状态。
这些场合都需要磁场检测仪器,数字特斯拉计(高斯计)是用量最多的磁测量产品。
测量磁场时,一般可以选用霍尔元件、磁敏二极管、磁敏三极管和磁阻元件。其中霍尔
元件使用的最多。在各种霍尔元件中,通常选用的是砷化镓(GaAs)霍尔元件,其灵敏度
3
被
测
电
流
较高,线性度和稳定性都很好,温度漂移也较小,如用于精度不太高的仪表可以可忽略不计,
对高精度的仪表,如精度优于0.5级的,通过温度补偿可以进一步减小温度漂移。GaAs元
件体积可以做得很小,最小的可以做到1mm×1mm×0.3mm,适合于缝隙磁场的检测。在被
测磁场精度要求不高,探头体积可以不用太小时,也可选用硅和锗霍尔元件。
4.2电流测量
大部分磁敏元件都可以用于电流测量,随着高性能的霍尔元件的制造成功,霍尔元件成
为用于电流测量的最主要的磁敏器件。用霍尔元件做成电流、电压、功率传感器/变送器是
磁敏元件应用最早、最普及、最成熟的领域。
根据磁电定律,当导线中有电流通过时,在导线周围必然产生感应磁场,而且磁场强度
与导线中的电流成正比。霍尔电流传感器是把被测电流导线周围的磁场用软磁材料制成的磁
路收集起来,用霍尔元件检测出这一磁场的大小,即可通过对信号处理定标求出被测电流的
大小。这种原理制成的电流传感器与被测电路没有电接触,属于非接触测量,有优良的电气
隔离性能。它的结构简单,工艺性好,体积小,频率范围和工作温度范围宽,信号便于处理。
目前市场上大批量生产的霍尔电流传感器主要有两种,即磁强计式(直检式)和磁平衡
式(零磁通式)。
(1)、磁强计式电流传感器的测量原理如图2所示:
+V
电
源
-V
图2 磁强计霍尔电流传感器原理图
在制造磁强计式电流传感器时通常选用温度漂移小、线性度好、失调电压小、稳定性高
的GaAs霍尔元件。
(2)、磁平衡式电流传感器的原理如图3所示:
磁平衡式电流传感器电流传感器是在磁环上绕制适当的线圈作为平衡线圈。在制造磁平
衡电流传感器时通常选用灵敏度高的InSb霍尔元件。
霍尔效应原理的电流传感器的量程最大可以到300KA,电压传感器可以到1000V。主
要应用在强电流技术领域,如电力工业、电气化铁路、电炉炼钢及强电自动控制中。
+V
+
电
源
霍尔元件
-
-V
GND
平
衡
电
流
M R
电压表或示波器等测试仪器
图3 磁平衡式霍尔电流传感器原理图
4.3转速和脉冲测量
4
从磁敏元件的自身特性可以知道,当磁场存在与否通过输出特性表现后,就可以记录磁
场出现的次数。当磁敏元件加一定数值的磁场后,使其输出特性处于电平转换状态,利用这
一性能测量物体上磁场的数量,通过这一性能可以测量转速和脉冲,也就是说通过记录磁敏
元件的输出脉冲的数量可以得知物体转速的大小,当同时记录转速和时间时,也可以得出物
体的线位移,例如:汽车的里程表。
利用磁敏元件测量转速时,通常情况是选用集成霍尔集成开关元件和锑化铟元件,其中
霍尔集成开关使用简单,只需在输入端和地之间提供电源,输出波形为方波信号,不需放大
和处理,可以直接给单片机进行测量。锑化铟霍尔元件在转速测量中的应用主要是在录像机
和摄像机中的无刷电机上。在无刷电机中,InSb霍尔元件主要是起换向器的作用,代替了
电机的电刷。无刷电机具有体积小、重量轻、效率高、调速方便、维护少、寿命长、不产生
电磁干扰等一系列优点。
利用开关型霍尔元件可以应用在容积式流量计、金属管转子流量计、金属管浮子流量计
等流量测量领域。利用强磁体磁阻器件可以应用在智能水表、热量表、煤气表等方面。
4.4位置和位移测量
磁敏元件在均匀梯度和磁场中移动时,输出与磁场具有线性关系,通过其输出的变化可
以测量磁敏元件或者磁钢的位移量。磁场的梯度越大,磁敏元件的输出对位移的灵敏度越高,
磁场的梯度越均匀,它的测量位移的精度就越高。
测量线位移时,选用霍尔元件、磁敏二极管、磁敏三极管和磁敏电阻元件均可以。在角
位移测量时,除了以上磁敏元件外,还可以选择强磁体磁阻元件,因为其输出特性比较特殊,
当磁场达到一定幅值后,输出只与被测磁场和磁敏电阻的表面所成的角度相关,利用该特点
来测量角位移具有其特殊的优点。
4.5信号的运算和测量
在很大的磁场范围内,柯比诺磁敏电阻元件的电阻随外加磁场呈平方特性,借助于这种
特性,可以制作平方、立方、开平方、开立方函数发生器,还可以制作三角函数发生器。
在制造三角函数发生器时,也常选用霍尔元件来实现。通常利用霍尔电势与控制电流、
被测磁场成正比,并与被测磁场同霍尔元件表面的夹角成正弦关系的特性,制造正弦、余弦、
正弦平方、正切函数和反正弦函数发生器。
利用霍尔元件输出与控制电流和被测磁场乘积成正比的特性,可以制造功率表、电度表
等产品。
4.6拉力和压力测量
利用磁敏元件制造的压力和拉力传感器,具有成本低、结构简单等特点,在精度较低的
测力场合,选用这种结构的传感器有其优越性,同类精度的力敏传感器价格要高出许多。该
传感器一般选用霍尔元件、磁敏二极管、磁敏三极管和磁阻元件等。
随着科技的发展,磁敏元件的产品种类和质量得到了进一步发展和提高,除了已经在工
业领域得到了成熟的应用,也开始走进汽车、民用仪表等这些量大面广的应用领域。目前每
年所需用的磁敏元器件的数量以数十亿计。国产的电流传感器、高斯计等磁敏传感器及相关
应用产品也已经开始走入国际市场。磁敏元件的发展会加快我国工业的发展进程,同时科技
的进步也会推动磁敏元器件行业的进一步快速发展。
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